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4.2.2
Análisis de las curvas I-V
Dado que se conoce el vínculo entre la forma de la curva I-V y la Rs (Resistencia serie) y Rp
(Resistencia paralelo); donde la modificación de la pendiente de la curva para las zonas de
corrientes bajas es atribuible a variaciones (aumento) de la Rs en el circuito equivalente y que la
variación de la pendiente en la zona de bajos voltajes es atribuible a variaciones de la Rp del circuito
equivalente. (MONTERO, CADENA,FARFAN, 2008).
Observando las Figuras 3, 4 y 5 nos damos cuenta que la variación de la pendiente en la zona de
bajos voltajes no es tan notoria lo que indica que la variación de la Rp del módulo no ha sido muy
significativa, sin efecto en la disminución en el rendimiento del módulo. (MONTERO ET.AL,2007)
Del mismo modo en la zona de corrientes bajas, no se observa cambios notables en la pendiente
de la curva, hecho que indica que la Rs del módulo ha permanecido constante, sin degradación de
los contactos, ni del encapsulante y la protección posterior.
Por lo dicho, en principio nos permiten descartar los efectos de degradación asociados a la variación
de las resistencias Rs y Rp.
En el caso particular del módulo de silicio monocristal si se observó en las últimas mediciones (año
2016) un cambio de pendiente en las bajas corrientes, esto implica un aumento de la Rs que
condicen con las características que tomo el panel como lo muestra la figura 7, en la cual se observa
degradación de los contactos y el encapsulante.
4.1.3
Análisis del Factor de Forma
(
FF
)
y Potencia Máxima
(
P
M
).
Para analizar los rendimientos tomamos como punto de comparación los FF y
P
M
, aunque según
algunos trabajos Florentino,Seraphin (2005) la variación del FF es inversamente proporcional a la
temperatura del panel y la irradiación en el plano del panel, nosotros tomamos éste factor como
referencia debido a que trasladamos las curvas I-V medidas, a las mismas condiciones de
Irradiación y temperatura, de modo que la evolución del FF queda desafecta de éstas.
Teniendo en cuenta la evolución del FF y
P
M
de cada uno de los paneles, inferimos que tanto para
el panel Si-Monocristal y Si-Amorfo tenemos una disminución oscilante en dicho factor, es decir
que si bien el factor disminuye a largo plazo, tiene picos estacionales ascendentes. Mientras que
para el panel Si-Policristal éste factor, aunque es oscilante, la tendencia es que a largo plazo
pareciera no disminuir pronunciadamente, sino que permanece constante. Los picos ascendentes
coinciden con fuertes lluvias, lo que significa una limpieza de los módulos. Siendo el módulo Si-
Policristal el que tienen el efecto más pronunciado; el Si-Monocristal un efecto intermedio; y el Si-
Amorfo es el que presenta menor lavado.
4.1.4
Análisis de los Sólidos sedimentables como factor de pérdida en el rendimiento del panel.
Nuestra hipótesis es que la perdida de rendimiento en los paneles es debida a la obstrucción
provocada por los sólidos acumulados en su superficie, dado que se descartan las otras causas
analizadas en los puntos precedentes. No podemos analizar los sólidos como parámetro
independiente. Es por esto que analizamos los sólidos en conjunto con otros parámetros tales como
las lluvias y los vientos en el lugar. Figuras 9,10 y11.
Pudimos observar que debido a la orientación de los paneles hacia el norte verdadero, los vientos
provenientes de dicha dirección suelen coincidir con el aumento de los SS, mientras que vientos
coplanares con los paneles, generalmente provenientes del oeste, suelen limpiarlos.
Si bien en la época de los primeros meses de primavera se producen fuertes lluvias, éste efecto es
contrarrestado por el aumento de los SS, siendo el efecto neto la disminución del rendimiento.
Existen saltos en el FF y PM donde los paneles vuelven a tener rendimientos superiores a los meses
precedentes. Este efecto se repite durante los primeros meses de los otoños de cada año.